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Trabalho de evento-resumo
Xanes characterization in PECVD-SiOxNy films (2004)
Criado, Denise ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
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ABNT
CRIADO, Denise et al. Xanes characterization in PECVD-SiOxNy films. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Criado, D., Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., & Fantini, M. C. de A. (2004). Xanes characterization in PECVD-SiOxNy films. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf
NLM
Criado D, Alayo Chávez MI, Pereyra I, Fantini MC de A. Xanes characterization in PECVD-SiOxNy films [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf
Vancouver
Criado D, Alayo Chávez MI, Pereyra I, Fantini MC de A. Xanes characterization in PECVD-SiOxNy films [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf
Trabalho de evento
X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling (1992)
Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; SANTOS, P. V.; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson
Conference titles: Brazilian School on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, SEMICONDUTORES, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu et al. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992, Anais.. Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1992. . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Fantini, M. C. de A., SANTOS, P. V., Pereyra, I., & Páez Carreño, M. N. (1992). X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. In . Cingapura: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Fantini MC de A, SANTOS PV, Pereyra I, Páez Carreño MN. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992 ;[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Fantini MC de A, SANTOS PV, Pereyra I, Páez Carreño MN. X-Ray Reflectivity of Amorphous Multi Layers: Interface Modeling. 1992 ;[citado 2024 maio 01 ]
Artigo de periodico
Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions (1996)
Pereyra, Inés ; Paez Carreño, Marcelo Nelson
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
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ABNT
PEREYRA, Inés e PAEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 201, n. ju 1996, p. 110-118, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Pereyra, I., & Paez Carreño, M. N. (1996). Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions. Journal of Non-Crystalline Solids, 201( ju 1996), 110-118. doi:10.1016/0022-3093(96)00131-7
NLM
Pereyra I, Paez Carreño MN. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1996 ; 201( ju 1996): 110-118.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7
Vancouver
Pereyra I, Paez Carreño MN. Wide gap a-Sil-Cx:H thin films obtained under starving plasm deposition conditions [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1996 ; 201( ju 1996): 110-118.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(96)00131-7
Artigo de periodico
Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications (2010)
Cavallari, Marco Roberto ; Albertin, Katia Franklin ; Santos, Gerson dos; Ramos, Carlos Alberto Santos; Pereyra, Inés ; Fonseca, Fernando Josepetti ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidades: EP, IEE
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
CAVALLARI, Marco Roberto et al. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 425-432, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474188. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Cavallari, M. R., Albertin, K. F., Santos, G. dos, Ramos, C. A. S., Pereyra, I., Fonseca, F. J., & Andrade, A. M. de. (2010). Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 425-432. doi:10.1149/1.3474188
NLM
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Vancouver
Cavallari MR, Albertin KF, Santos G dos, Ramos CAS, Pereyra I, Fonseca FJ, Andrade AM de. Voltage-dependent mobility characterization of MDMO-PPV thin-film transistors for flexible sensor applications [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 425-432.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474188
Tese (Doutorado)
Técnicas para a otimização de células solares de uso espacial (1989)
Beloto, Antonio Fernando; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
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ABNT
BELOTO, Antonio Fernando. Técnicas para a otimização de células solares de uso espacial. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Beloto, A. F. (1989). Técnicas para a otimização de células solares de uso espacial (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Beloto AF. Técnicas para a otimização de células solares de uso espacial. 1989 ;[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Beloto AF. Técnicas para a otimização de células solares de uso espacial. 1989 ;[citado 2024 maio 01 ]
Trabalho de evento
Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro (1989)
Andrade, Adnei Melges de ; Andrade, Carlos Américo Morato de; Fonseca, Fernando Josepetti ; Pereyra, Inés ; Sanematsu, Mário Sabro
Source: Anais. Conference titles: Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletronica. Unidades: IEE, EP
Subjects: FILMES FINOS, TRANSISTORES, SILÍCIO
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ABNT
ANDRADE, Adnei Melges de et al. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. 1989, Anais.. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs, 1989. . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Andrade, A. M. de, Andrade, C. A. M. de, Fonseca, F. J., Pereyra, I., & Sanematsu, M. S. (1989). Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. In Anais. Porto Alegre: Sbmicro/Ufrgs.
NLM
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Andrade AM de, Andrade CAM de, Fonseca FJ, Pereyra I, Sanematsu MS. Transistores de filmes finos de silicio amorfo com estrutura 'NI''CR' / 'SI'-a: h (n+) / 'SI'-a : h'SI''N IND.X'-a : h / 'NI''CR' sobre substratos de vidro. Anais. 1989 ;[citado 2024 maio 01 ]
Artigo de periodico
Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h (1990)
Komazawa, A; Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Andrade, Adnei Melges de ; Pereyra, Inés
Source: Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
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ABNT
KOMAZAWA, A et al. Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, v. 9 , n. 1 , p. 7-10, 1990Tradução . . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Komazawa, A., Páez Carreño, M. N., Andrade, A. M. de, & Pereyra, I. (1990). Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo, 9 ( 1 ), 7-10.
NLM
Komazawa A, Páez Carreño MN, Andrade AM de, Pereyra I. Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 7-10.[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Komazawa A, Páez Carreño MN, Andrade AM de, Pereyra I. Transistores de filme fino de a-'SI': h / a-'SI'c : h. Revista Brasileira de Aplicacoes de Vacuo. 1990 ;9 ( 1 ): 7-10.[citado 2024 maio 01 ]
Trabalho de evento
TiO2 nanotubes production and characterization (2012)
Fraga, Tiago Marques; Albertin, Katia Franklin ; Pereyra, Inés
Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
FRAGA, Tiago Marques e ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. TiO2 nanotubes production and characterization. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Fraga, T. M., Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2012). TiO2 nanotubes production and characterization. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0199ecst
NLM
Fraga TM, Albertin KF, Pereyra I. TiO2 nanotubes production and characterization [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst
Vancouver
Fraga TM, Albertin KF, Pereyra I. TiO2 nanotubes production and characterization [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst
Artigo de periodico
Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role (2000)
Prado, Rogerio Junqueira; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Tabacniks, Manfredo Harri ; Pereyra, Inés ; Flank, A M
Source: Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
PRADO, Rogerio Junqueira et al. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, v. 338-342, n. 1, p. 329-332, 2000Tradução . . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Tabacniks, M. H., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2000). Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, 338-342( 1), 329-332.
NLM
Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 maio 01 ]
Artigo de periodico
Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Silva, Antonio Jose Roque da ; Orellana, Walter M; Prado, Rogerio Junqueira; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Source: Physical Review B. Unidades: IF, EP
Subjects: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), MÉTODO DE MONTE CARLO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films. Physical Review B, v. 68, n. 15, p. 155332/1-155332/6, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Scopel, W. L., Silva, A. J. R. da, Orellana, W. M., Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films. Physical Review B, 68( 15), 155332/1-155332/6. doi:10.1103/physrevb.68.155332
NLM
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana WM, Prado RJ, Fantini MC de A, Fazzio A, Pereyra I. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 15): 155332/1-155332/6.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332
Vancouver
Scopel WL, Silva AJR da, Orellana WM, Prado RJ, Fantini MC de A, Fazzio A, Pereyra I. Theoretical and experimental studies of the atomic structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Physical Review B. 2003 ; 68( 15): 155332/1-155332/6.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.68.155332
Trabalho de evento-anais periodico
The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization (2017)
Cassimiro, Vinicius Roberto de Sylos; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Rehder, Gustavo Pamplona ; Cunha Junior, Rubens Martins; Trcera, Nicolas
Source: Proceedings Science BWSP. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, FILMES FINOS, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASSIMIRO, Vinicius Roberto de Sylos et al. The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization. Proceedings Science BWSP. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-70051. Acesso em: 01 maio 2024. , 2017
APA
Cassimiro, V. R. de S., Fantini, M. C. de A., Pereyra, I., Páez Carreño, M. N., Alayo Chávez, M. I., Rehder, G. P., et al. (2017). The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization. Proceedings Science BWSP. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. doi:10.17648/bwsp-2017-70051
NLM
Cassimiro VR de S, Fantini MC de A, Pereyra I, Páez Carreño MN, Alayo Chávez MI, Rehder GP, Cunha Junior RM, Trcera N. The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization [Internet]. Proceedings Science BWSP. 2017 ; 1 4 .[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-70051
Vancouver
Cassimiro VR de S, Fantini MC de A, Pereyra I, Páez Carreño MN, Alayo Chávez MI, Rehder GP, Cunha Junior RM, Trcera N. The structural properties of the protective layer of microlamps under polarization [Internet]. Proceedings Science BWSP. 2017 ; 1 4 .[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.17648/bwsp-2017-70051
Parte de monografia/livro
Tfts an a sicx: h insulator layer (1991)
Pereyra, Inés ; Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Andrade, Adnei Melges de
Source: Surface Science. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREYRA, Inés e PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson e ANDRADE, Adnei Melges de. Tfts an a sicx: h insulator layer. Surface Science. Tradução . Berlin: Springer, 1991. . . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Pereyra, I., Páez Carreño, M. N., & Andrade, A. M. de. (1991). Tfts an a sicx: h insulator layer. In Surface Science. Berlin: Springer.
NLM
Pereyra I, Páez Carreño MN, Andrade AM de. Tfts an a sicx: h insulator layer. In: Surface Science. Berlin: Springer; 1991. [citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Pereyra I, Páez Carreño MN, Andrade AM de. Tfts an a sicx: h insulator layer. In: Surface Science. Berlin: Springer; 1991. [citado 2024 maio 01 ]
Artigo de periodico
Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial (1990)
Beloto, Antonio Fernando; Pereyra, Inés
Source: Revista Brasileira de Aplicacao de Vacuo. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELOTO, Antonio Fernando e PEREYRA, Inés. Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. Revista Brasileira de Aplicacao de Vacuo, v. 9 , n. 2 , p. 24-6, 1990Tradução . . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Beloto, A. F., & Pereyra, I. (1990). Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. Revista Brasileira de Aplicacao de Vacuo, 9 ( 2 ), 24-6.
NLM
Beloto AF, Pereyra I. Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. Revista Brasileira de Aplicacao de Vacuo. 1990 ;9 ( 2 ): 24-6.[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Beloto AF, Pereyra I. Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. Revista Brasileira de Aplicacao de Vacuo. 1990 ;9 ( 2 ): 24-6.[citado 2024 maio 01 ]
Parte de monografia/livro
Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial (1989)
Beloto, Antonio Fernando; Pereyra, Inés
Source: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Unidade: EP
Assunto: CÉLULAS SOLARES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELOTO, Antonio Fernando e PEREYRA, Inés. Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Tradução . Sao Paulo: Epusp, 1989. . . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Beloto, A. F., & Pereyra, I. (1989). Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. In Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Sao Paulo: Epusp.
NLM
Beloto AF, Pereyra I. Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. In: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Sao Paulo: Epusp; 1989. [citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Beloto AF, Pereyra I. Tecnicas de obtencao de juncoes rasas visando a fabricacao de celulas solares de uso espacial. In: Contribuicoes a Engenharia de Eletricidade. Sao Paulo: Epusp; 1989. [citado 2024 maio 01 ]
Tese (Doutorado)
Síntese e caracterização de nanotubos de carbono mediante as técnicas de CVD e PECVD (2016)
Lopez Silva, Diego Edison; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: NANOPARTÍCULAS, CATÁLISE, NANOTECNOLOGIA, PLASMA (MICROELETRÔNICA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPEZ SILVA, Diego Edison. Síntese e caracterização de nanotubos de carbono mediante as técnicas de CVD e PECVD. 2016. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2016. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012017-150102/. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Lopez Silva, D. E. (2016). Síntese e caracterização de nanotubos de carbono mediante as técnicas de CVD e PECVD (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012017-150102/
NLM
Lopez Silva DE. Síntese e caracterização de nanotubos de carbono mediante as técnicas de CVD e PECVD [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012017-150102/
Vancouver
Lopez Silva DE. Síntese e caracterização de nanotubos de carbono mediante as técnicas de CVD e PECVD [Internet]. 2016 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18012017-150102/
Dissertação (Mestrado)
Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor (2014)
Abe, Igor Yamamoto; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABE, Igor Yamamoto. Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor. 2014. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24042015-152437/. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Abe, I. Y. (2014). Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24042015-152437/
NLM
Abe IY. Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24042015-152437/
Vancouver
Abe IY. Síntese de nanotubos de carbono pela técnica de deposição química a vapor [Internet]. 2014 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-24042015-152437/
Dissertação (Mestrado)
Super-redes de silício amorfo (1988)
Páez Carreño, Marcelo Nelson ; Pereyra, Inés (Orientador)
Unidade: EP
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PÁEZ CARREÑO, Marcelo Nelson. Super-redes de silício amorfo. 1988. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1988. . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Páez Carreño, M. N. (1988). Super-redes de silício amorfo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Páez Carreño MN. Super-redes de silício amorfo. 1988 ;[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Páez Carreño MN. Super-redes de silício amorfo. 1988 ;[citado 2024 maio 01 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis (2006)
Albertin, Katia Franklin ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian MRS Meeting. Unidades: IF, EP
Assunto: MATERIAIS
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ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e FANTINI, Márcia Carvalho de Abreu e PEREYRA, Inés. Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. 2006, Anais.. Florianópolis: SBPMat - Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2006. . Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Albertin, K. F., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2006). Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. In Abstracts. Florianópolis: SBPMat - Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais.
NLM
Albertin KF, Fantini MC de A, Pereyra I. Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. Abstracts. 2006 ;[citado 2024 maio 01 ]
Vancouver
Albertin KF, Fantini MC de A, Pereyra I. Study of the structural properties of the PECVD SiOxNy dielectric layers obtained with different RF powers by XANES and EXAFS analysis. Abstracts. 2006 ;[citado 2024 maio 01 ]
Artigo de periodico
Study of the mechanical and structural properties of silicon oxynitride films for optical applications (2006)
Criado, Denise ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés
Source: Journal of non-crystalline solids. Unidades: IF, EP
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, FILMES FINOS
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ABNT
CRIADO, Denise et al. Study of the mechanical and structural properties of silicon oxynitride films for optical applications. Journal of non-crystalline solids, v. 352, n. 23-25, p. 2319-2323, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.03.012. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Criado, D., Alayo Chávez, M. I., Fantini, M. C. de A., & Pereyra, I. (2006). Study of the mechanical and structural properties of silicon oxynitride films for optical applications. Journal of non-crystalline solids, 352( 23-25), 2319-2323. doi:10.1016/j.jnoncrysol.2006.03.012
NLM
Criado D, Alayo Chávez MI, Fantini MC de A, Pereyra I. Study of the mechanical and structural properties of silicon oxynitride films for optical applications [Internet]. Journal of non-crystalline solids. 2006 ; 352( 23-25): 2319-2323.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.03.012
Vancouver
Criado D, Alayo Chávez MI, Fantini MC de A, Pereyra I. Study of the mechanical and structural properties of silicon oxynitride films for optical applications [Internet]. Journal of non-crystalline solids. 2006 ; 352( 23-25): 2319-2323.[citado 2024 maio 01 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.03.012
Trabalho de evento-resumo
Study of silicon oxynitride films with low mechanical stress (2004)
Criado, Denise ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidades: IF, EP
Subjects: MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CRIADO, Denise et al. Study of silicon oxynitride films with low mechanical stress. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf. Acesso em: 01 maio 2024.
APA
Criado, D., Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., & Fantini, M. C. de A. (2004). Study of silicon oxynitride films with low mechanical stress. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf
NLM
Criado D, Alayo Chávez MI, Pereyra I, Fantini MC de A. Study of silicon oxynitride films with low mechanical stress [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf
Vancouver
Criado D, Alayo Chávez MI, Pereyra I, Fantini MC de A. Study of silicon oxynitride films with low mechanical stress [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 maio 01 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_b.pdf

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